#CoWoS 封裝
封裝廠在CoWoS跟HBM能搶到多少份額
AI帶動了2.5D封裝的CoWoS以及HBM的多層堆疊封裝,台積電CoWoS以及海力士HBM嚴重供不應求。台積電先進封裝業務的增長甚至比3nm/2nm等前段製程的增長來得高,這一切代表先進封裝在未來半導體產業鏈的重要度一直在提高。但以封裝為主業務的各大OSAT廠似乎在這波AI浪潮中漲幅嚴重滯後,未來先進封裝越來越重要,這對於OSAT到底意味著什麼?一切讓我們從整個產業的宏觀邏輯至上而下說一遍,大家就能明白了。封裝測試是製造晶片最後的一環,技術門檻較低,產值也較低。全球封裝大廠有日月光,安靠,矽品,長電,通富微,華天等。在測試環節,日月光,安靠同樣是測試大廠,國內最大的測試廠是長電。不涉及封裝只做純測試的有台灣京元電是全球最大純測試廠。以上這些被稱為傳統OSAT廠。接下來我們來聊聊這幾年大火的先進封裝AP,他與傳統封裝有啥區別?  在2010年前,行業開始匯入Wafer Level Packaging晶圓級封裝WLP,2010年後開始廣泛使用,這時期以fan in,fan out,fc-bga技術為主。所謂晶圓級封裝就是利用光刻、蝕刻等前端晶圓的半導體製程,對晶片裸片及互聯結構做精細化處理的封裝技術,因為牽扯到了前端的工藝,所以被稱為WLP晶圓級封裝。這也就是先進封裝的由來。晶圓級封裝雖然利用了前道工藝但都屬於好幾百nm到幾千nm的工藝,所以精度與前端相比低很多。OSAT廠做到大幾個um也就是大幾千nm的精度基本也沒太大問題,但是到了幾百nm的um以下就很困難了,但這卻是前段製程最拿手的。2012年左右,台積電的蔣尚義開始推廣chiplet概念,這是面對摩爾定律在7nm以下微縮越來越困難的一個重要分支技術。利用先進封裝,晶片間的整合效率反而成為效能提升關鍵,而不再是單純的電氣連接。晶片製造到了7nm以上,製程的線寬微縮有點力不從心,疊加先進封裝來增加電晶體數量自然是一個正確的技術方向。chiplet技術最簡單且形象的例子就是蘋果M系列晶片,兩顆die拼一起封裝的例子。到了2015年,CoWoS 異構整合技術開始成熟,但太貴了使用者非常少。最初只有打敗柯潔跟李世石的Alpha GO,採用了GoogleTPU2晶片正式CoWoS的早期產品,但出貨量不多,主要用來Google內部研發以及少量雲平台應用。Alpha GO是第一次讓人類能直觀看見AI能力的驚世傑作,以完全碾壓的姿態打敗全世界所有圍棋高手,2017在烏鎮以3:0打哭了世界第一的柯潔之後正式退役,停止與人類的對弈。在此之前的兩年,Alpha GO對戰全世界幾十名頂尖旗手共下了數百盤,只有在Alpha GO第一代產品被李世石的神之一手拿下對戰人類的唯一敗盤,當然李世石還是以4:1敗北,此後的二代Alpha GO又完全碾壓Alpha GO一代,人類至此在圍棋領域無法再看見AI的車尾燈。CoWoS正是AI催生的先進封裝技術,利用介質層把邏輯晶片與儲存晶片一起封裝的技術實現了晶片的近存算以外,且突破光罩尺寸的限制能把晶片不斷做大,這兩點正是CoWoS的精髓,妥妥為AI而生的技術。Deepmind的Alpha GO在2016年讓人類見識什麼是AI,AI能做什麼,一直又經過了7年,2023年ChatGPT才真正帶動了AI熱潮,CoWoS在台積電做了7年的冷板凳開始大火。AI帶動的還有儲存的HBM,同樣是用先進封裝技術發展而來,採用Dram die並大量做TSV孔然後多層堆疊,目前主流為8層與12層,未來會有16層。上述的先進封裝發展過程,我們可以發現一件事,跟傳統的OSAT廠幾乎沒有太大關聯。這裡的底層邏輯是先進封裝是採用前段製程的封裝技術,隨著先進封裝的前段製程要求越來越高,前段大廠的主導力自然越強,因為OSAT沒有前段的能力,就這麼簡單。傳統OSAT的先進封裝可以做到WLP的fan in,fan out,往後的chiplet涉獵就越來越少,到了CoWoS的2.5D階段業務量就更少了。上述先進封裝,尤其是涉及AI的,目前絕大部分都是台積電在做,同時英特爾的2.5D的EMIB,3D的Foveros,以及三星的i-cube與x-cube技術也發展多年,只是客戶都被台積電包圓。這一現象說明了先進封裝技術幾乎掌握在foundry前段晶圓廠手中,而不是傳統封裝廠。從實際業務來看,也幾乎是如此,傳統OSAT在這裡分不到多少殘羹剩飯。當然AI伺服器內部有許多晶片增量,有晶片就必須封裝,OSAT在AI時代的業績是穩物增長的狀態。直到2025年底,台積電對CoWoS擴產不積極,CoWoS訂單將外溢給安靠,日月光,矽品等OSAT廠,OSAT在此才有一段明顯的漲幅。也就是說如果沒有台積電不願擴產的外溢訂單,OSAT確實喝不到多少湯,這裡的主導核心在foundry,OSAT只是被動接收外溢訂單。AI的先進封裝領域,唯一例外是測試廠,因為台積電不做測試,所有AI晶片測試都給了京元電,這幾年京元電也大漲了好幾倍。海外主流OSAT這幾年也強力發展CoWoS技術,比如日月光、矽品跟安靠,但他們實際能做的只有CoWoS的oS段,因為他們沒有interposer的TSV技術,只能做bumping,未來台積電外溢的正是oS段的訂單。所以傳統OSAT在AI先進封裝的角色就是承接foundry不願意做的bumping,僅此。這點業務量跟他們傳統封裝的巨大業務量相比對業績的幫助不是很大。 所以我們看到不論日月光還是安靠都沒有因為AI大爆發而業績大爆發,股價表現相對其他AI題材的標的差了很多,正是這個原因。第二個因為AI大火的HBM,海外主流是Dram儲存大廠自己做,目前因為堆疊的先進封裝技術領先,所以海力士在HBM力壓三星,成了儲存新王。在國際主流市場,至今並沒有出現單獨封裝HBM的企業。HBM這一塊傳統OSAT連湯也喝不到。先進封裝利用了前段工藝,而且與前端的晶片製造關聯性越來越高,難度越來越大,所以先進封裝問世這十多年來,主導廠家變成了foundry,未來也一直會是foundry主導。傳統OSAT在先進封裝領域當然是想發展,但由於技術侷限,先進封裝更適合foundry向下相容,而非OSAT向上突破,OSAT在先進封裝話語權越來越小。這是一個行業明確的趨勢,連討論都沒有必要的趨勢,請大家謹記。不是先進封裝未來越來會越重要,就代表封裝廠未來在半導體產業鏈的重要度會越來越高,這完全不是一回事,很多人在此被誤導了。先進封裝與傳統封裝在商業格局,市場邏輯上截然不同,很多同學以為先進封裝也是封裝,代表半導體未來,所以紛紛去投資封裝廠,這是錯誤的觀點。國內市場的畸形加重了這一誤解。比如大家耳熟能詳的CoWoS以及HBM,這兩年因為AI大火被炒翻天,國內當然也一樣,但大A因為缺乏類似台積電或海力士的主標的,所以大A炒作的邏輯與國際主流完全不同。海外都是前段大廠一起把先進封裝做了,不論台積電還是海力士的HBM。  國內則不太一樣,CoWoS確實不是前段廠來做,這讓國內有炒作空間,再加上點訊息差。國內前段儲存大廠CXMT在HBM封裝上一開始有跟OSAT合作,但也僅是發展前期。CXMT在上海的HBM廠今年中就能投產了,未來國內HBM的封裝自然是前段廠自己做,跟海力士美光的的邏輯一樣。國內OSAT沒有太多機會。CoWoS跟HBM的封裝有8成是相似的,所以這兩個熱點在國內是可以相通,國內大型OSAT都有CoWoS以及HBM產能。  也因為國內這類傳統OSAT有產能,所以借AI大肆炒作先進封裝,尤其是CoWoS或者HBM封裝這兩個大熱點。但試問,全世界炒AI好幾年了,全世界沒有人會去炒OSAT廠?(除了去年底CoWoS的外溢訂單)怎到了大A,炒AI的先進封裝炒到了OSAT?啥邏輯呢?大A的OSAT針對AI先進封裝有幾個問題,情況比海外更為嚴峻。首先AI量級並不算高,全球AI晶片一年出貨1-2千萬顆,同樣屬於高性能的手機SoC有十多億顆,CPU有4-5億顆,AI的量極差太多了,但AI數量在急遽增長,且面積不斷快速放大,再過兩年AI的量級就能成為最大。但這是全球市場,對國內來說,AI明確是高增長,但量級沒辦法成為貢獻營收的主力。台積電AI的火熱,是他在AI上賺了兩筆錢,一個是前段的die以及後段的cowos兩筆費用,而且台積電集中了全世界所有的量,全在他一家手上,無一遺漏。如果把台積電的前段跟後段分別拆開,2026年AI晶片前段營收在135億美元左右,後段62億美元左右,大致是2:1,未來前段會從4nm跳到3nm,ASP大幅提高,所以2026年會變成270億跟110億,也就是2.5:1。今天我們主要聊先進封裝,所以只看CoWoS ,2023年台積電cowos營收不足10億美元,2024年25億,2025年62億,即便營收多年不斷翻倍,在台積電營收佔比都是低個位數。2026年CoWoS會破百億,單單CoWoS營收佔比也只是7%左右。所以台積電即便擁有全世界所有AI先進封裝的量,多年來不斷翻倍又翻倍,又加上面積不斷放大的超級加成,CoWoS在台積電也還是低個位數佔比的一項業務。如果不去計算,大家還以為每年翻倍又翻倍的CoWoS將有多不得了的佔比,即便從2023到今年2026,不斷翻倍了4年,佔比還是個位數。而國內的AI又是什麼情況?首先國產AI晶片數量上,只有佔全球GPU+ASIC的5%左右,數量上更少,而且國內是前段晶片跟後段封裝分開的情況,無法向台積電一家獨拿全球AI的大部分額度。更重要的是國產封裝技術面積一直處於初期階段,die 面積無法做大,interposer無法做大,所以不會出現像台積電那樣,數量上一直翻倍,面積上又一直翻倍的超級加成效果。國產AI晶片,未來的趨勢反而是降低面積去換良率,這對不論前段還是後段封裝來說都不是有利的,但沒辦法,做大了良率不行,只能慢慢來。以2025年國產AI晶片出貨量在125萬顆的水平來算,大約需要3.5萬片CoWoS,每片CoWoS大約7500美元,其中interposer佔2500-3000刀。  所以國內cowos封裝總產值,扣除interposer之後是3.5萬*5000刀=1.75億美元,這才是整個中國針對AI CoWoS封裝廠的產值。事實上,國產AI晶片也不完全是在國內做CoWoS,我們測算就全部都用樂觀數字,100%在國內做來算。2026年國產AI晶片出貨翻倍的話,CoWoS封裝產值也只是3.5億美元的水平,2027年5-6億美元左右。整個中國的CoWoS的產值就是如此,我這個數字只會多不會少。 這數字大家可以根據盛合招股說明書中的業績來應對,幾乎是吻合的。因為筆者每個環節都用樂觀的較多的資料去計算,注意是每一個環節,所以最終加成出來的只會多不會少。  當然這數字是不包含interposer。國內CoWoS跟台積電能一直漲價的邏輯也不同,國內是前段跟後段分開沒錯,但目前好幾家建設CoWoS產能,產值極限我們剛才已經算過了,所以未來產能建設會比實際需求多不少,如此一來,國內CoWoS向台積電一直漲價就很難了,未來更大機率是低價搶單的可能。再來算下HBM的封裝產值,首先國產HBM的進度自然是比國產AI晶片落後,因為初期國產AI晶片還是會以三星海力士的HBM為主,國產HBM無法跟國產AI晶片出貨量同步。預計2025年有少量HBM2出貨,2026年推進到以HBM2e為主,但出貨量也不會太大,因為HBM2跟2e技術差太多,國產AI晶片不會大量採用。筆者預計2027年國產HBM進入HBM3時代才會開始放量,2025以及2026技術攻關以及拉良率,累積經驗練手為主。根據筆者之前公佈的出貨模型(知識星球有詳細模型),2027年國產AI用降低晶片面積的方法,提高良率,出貨200萬顆左右(single die 400萬),每顆配8個國產HBM3,等於需要1600萬顆HBM3。事實上,國產AI晶片不可能全部採用國產HBM,只有低端國產AI晶片才會用,畢竟代差擺在那,Ascend,MLU還是得想辦法買到先進的HBM3e以上的貨。2027年HBM3屬於落後2-3代產品,單價我們樂觀計算跟現在的1500-2000人民幣相同,其中大部分都是前段Dram die跟TSV的費用,後段堆疊封裝預計在每顆200人民幣左右。所以2027年,國產AI晶片出貨200萬顆(single die 400萬),總共需要1600萬顆HBM,如果這些國產AI晶片全部採用國產HBM,那HBM的封裝產值就是1600萬顆*200=32億人民幣。但實質上不可能全部國產AI晶片都採用國產HBM,如一半使用國產HBM,那封裝產值則在16億人民幣左右。之前我們推算,2027年CoWoS為6億美元約42億人民幣,再加上HBM封裝的16億產值,2027年樂觀計算,中國市場AI帶來的所有先進封裝產值在58億人民幣左右。我們從需求端,算出了全國總產值後,再來看看各家如何分配。CoWoS預計還是盛合佔大頭,我們算7-8成,也就是30-35億,其他OSAT分剩下的不到10億。HBM的話,2027年CXMT上海唐鎮的芯浦天英也早量產了,估計大部分都是自己做了,剛才算了2027年一半用國產的話,全國HBM封裝大約16億的封裝產值。這16億的總產值,CXMT自己必然會遠超一半,剩下的OSAT在去分。所以OSAT能分多少?2027年武漢XMC的TSV產能也早會開出來,他們可能自己也做堆疊封裝,作為國內非CXMT系統的另一個Dram供應來源,最終也是自己做HBM。所以HBM這個炒翻天的題材,OSAT要跟上游乞討剩下的飯吃,未來已經很明確HBM封裝這一塊真沒有OSAT的空間。國產HBM的封裝產能,近期建設的不少,但並非OSAT建了多少產能,未來就會有多少業績,壓根不是如此。這一點是國內賣方最離譜的部分,總是誤導建了多少AI封裝產能將來就會有多少營收,妥妥的騙傻子,需求是一回事,產能是一回事。賣方的邏輯是,大家看這兩年海外台積電CoWoS與海力士HBM產能一直緊缺,一直以來就是有多少產能就能做多少業績,嚴重供不應求。但是國內的情況壓根不是如此,邏輯更不是如此,國內是妥妥的供大於求,而且業績也是高度集中,可不是所有有產能的OSAT都能雨露均霑。一切的核心在國產AI晶片的出貨量。有多少國產AI晶片出貨才有多少國產CoWoS以及HBM,但大家都清楚,國產AI晶片與輝達差較大,國內CSP主力還是以輝達為主,搭配部分國產AI晶片,這幾年國內AI晶片增幅很高,是因為基數低,這個量級對製造端的助益不是太大。要知道封裝行業的訂單都是幾億顆談的,AI這種幾萬,幾十萬顆單價再高也沒有太大作用。國產AI晶片的出貨量,筆者之前文章都有詳細的測算,2025年125萬顆,2026年200萬顆,2027年400多萬顆,2028年增加到600萬左右,筆者模型的國產AI晶片增幅已經足夠恐怖。我們剛才的業績測算,2027年整個中國AI先進封裝的產值只有58億,是基於如此高增長的AI出貨背景,但每年不斷翻倍的增長,在2027年國內針對AI的先進封裝也才不到60億這一點產值。與之想比的是賣國產AI晶片的,一顆ASP10萬人民幣,400萬顆是4000億人民幣的產值,所以AI絕大部分產值在寒武紀這類fabless,少部分在前段的foundry,到先進封裝那就更少了。我們再以輝達的blackwell來比喻,輝達一顆賣3.5萬,成本大約是,台積電的前段die是每顆的成本大約是1000,cowos大約450一顆,HBM每顆420刀*12顆=5000美元,再加上PCB以及各種模組算500。一顆blackwell(不含伺服器元件)輝達售價3.5萬,台積電海力士等佔7000美元,其中先進封裝只有cowos的450+HBM單封裝的500=950美元。也就是說先進封裝佔AI晶片售價的0.95k/35k=2.7%,佔整個晶片製造成本0.95k/7k=13.5%。 這個比例是海外AI晶片的比例。國內AI晶片,die不一定都是國產,HBM更是大比例採購進口的,所以國內先進封裝在每一個國產AI晶片的產值會比上述blackwell的比例低不少。重點是才這點產值,海外是單一家巨頭壟斷一項,而國內是大部分還要被前段廠家佔據,剩下的是好幾家OSAT去分。國內的CoWoS會好點,因為很多是在海外流片做die,送回國內做cowos ,基本國產AI晶片出貨可以百分百對應。國產HBM因為可以買到三星的HBM,且國產有代差,所以國產HBM出貨與國產AI晶片的出貨並非100%對應關係,可能是是50%也可能是60%。不會像國產cowos對應度接近100%。國產HBM的利多只有CXMT這樣從上到下一條龍的廠家能獲利,所以筆者很看好CXMT未來的IPO,HBM的封裝還是會跟海外一樣,由海力士或者鎂光這類大廠來做,對外釋放的HBM封裝外包產值低得可憐。其實這幾年全球炒作AI,大家都清楚CoWoS或者HBM是最大熱點,所以國內有相關的題材都往死裡炒。但從業績上看,AI帶來的封裝產值遞延到OSAT廠真的不多,就拿2027年整個中國所有AI的封裝產值才58億人民幣來說,這數字我剛才計算全部都是給了高的測算標準,也才這麼多。2027年全中國封裝產值必然是超千億水平,AI也就5-60億。這點產值,別說好幾家分了,就算全部歸一家也不多,國內最大OSAT營收都快接近400億了。國內前兩大OSAT,目前營收接近400億以及300億的營收,去瓜分總金額60億,大頭還要被上游後分完後,剩下的那點殘羹剩菜,對他們的業績能有多大幫助?對國內OSAT來說AI只有題材炒作,不會有太大業績作用。事實上,從2024年第二季度開始,國產晶片出貨開始大增,越來越多國產品牌願意使用國產晶片,但大部分都集中在成熟製程晶片,而成熟製程才是真正有量的業務。所以國內的成熟製程以及封裝廠的產能利用率從2024年至今節節攀升。這帶動了國內成熟製程整個產業鏈,前段晶圓廠的稼動率維持在高檔,後段的傳統oast廠稼動率也同樣在高檔。大家的業績因為晶片的國產替代一直在提升。所以說從2024年到至今,傳統OSAT的業績增長是來自於明明確確的國產晶片替代,但這個晶片替代以成熟製程為主力,跟AI那一點點封裝產值沒有太大關係。國內賣方推票把這兩年OSAT不錯的業績增長跟AI熱點掛鉤,這是妥妥的斷章取義。千萬別把這段時間以來,國內OSAT的業績增長以為是AI帶來的,AI封裝的量,對OSAT來說基本上是忽略不計的量。海外OSAT這幾年也沒有因為AI大漲,都是漲在前段台積電跟海力士,唯一大廠沒染指的測試廠京元電因為AI大漲,海外OSAT只能等待台積電外溢的CoWoS才出現不錯的漲幅。國內的OSAT這兩年業績增幅挺不錯,是因為國產成熟製程晶片被大量使用帶來的業績增長。這一點大家得搞清楚,我知道有太多人在這方面搞混了,所以我今天這篇文章會從上到下向大家解釋這樣才能搞明白,確實有太多點會被曲解跟誤讀。OSAT的業績絕對大頭是傳統封裝,WLP封裝能做但也只是初期的那些fan out,未來AI給他們帶來的業績增量也不會太多,因為傳統業務才是他們的重中之重,AI量級太小。不過盛合這類只做先進封裝以及cowos的封裝廠,很大一部分業務在AI,雖然營收比傳統OSAT小很多,但AI佔比較高,IPO之後的估值肯定會非常不錯,必須像盛合這種沒有傳統封裝業務,都是先進封裝以及CoWoS佔比高的才有高估值的機會。盛合本來就是中芯國際跟長電合作的先進封裝廠,以前叫中芯長電,2014年成立,AI還沒火之前也有一些chiplet業務,2021年更名,中芯與長電基本賣出股份退出股東序列。傳統OSAT本來就不是先進封裝的主導者,不論海外還是國內市場都一樣,現在大A給國產OSAT的估值已經足夠高也足夠離譜了。大家不妨去看看日月光跟安靠的PE。但好在國內OSAT廠業績這幾年還是能隨著國產化不斷提升而獲利,業績是實打實往上走的。大A的估值倒不需要去掛靠海外同行,大A自有國情在這一點沒問題。只能怪國內的賣方,整天瞎吹,硬把CoWoS跟HBM題材瞎掛靠,但也沒辦法,國內確實沒有台積電海力士這樣的標的,賣方也只能瞎吹。正是這種情況,誤導了太多人因為AI的先進封裝去買OSAT這是錯誤的。同時市場也認為國內OSAT大廠漲的不離譜,PE比其他炒翻天的合理很多,很多投資者把OSAT視為比較安全的投資標的。再加上這幾年國內封裝大廠的業績也一直在增長,產能利用率維持高檔,所以炒OSAT順理成章,但效果就是股價一直漲不上去,炒不動,因為他的業績是因為國產化逐漸提升,而不是因為AI大幅度提升,沒有基本面的強力支撐,股價當然炒不上去。而且對比國際OSAT龍頭大廠20多倍的PE,咱們60倍以上的PE,基本也符合大A的國情了,要再上去也難。總而言之,大A的OSAT業績未來還會往上走,股價我說不明白,但不要因為AI,CoWoS,HBM這些火熱的題材去買OSAT ,因為真心關係不大,這跟在海外也不會有人因為AI去買日月光跟安靠是一樣的道理。 (梓豪談芯)
🎯元月五大AI族群該怎麼卡位?Line@連結:https://lin.ee/mua8YUP🎯CES看「未來生活」!台積電法說給「未來訂單」!💡2025正式封關了,展望休假後的2026元月行情財富密碼就在1/6的CES展與1/15的台積電法說。一個管「未來生活」,一個管「未來訂單」,資金不會騙人,只會提前卡位。💡先看CES 2026年。今年不只是炫技,是AI正式走下雲端、走進現實世界。你會看到什麼?是會動的東西=物流機器人、智慧工廠、實體AI。當AI有了身體、有了場景,需求就不是想像,是真的要下單。而訂單會一路往回傳:封裝、PCB、光通訊、記憶體,全被點名。💡再看1/15台積電法說。這場不是財報說明會,是整條AI供應鏈的名牌公告會。市場盯的不是EPS,而是三個字:資本支出。2奈米、CoWoS、AI推論需求,只要一句「上修」,後面整串都會動。台積電講的是未來,但市場會立刻用股價反應。所以元月,只要盯五個方向:🔥CPO+高速光通訊:資料中心的神經反射,慢一秒都不行。🔥高階PCB:AI機架的神經網路,越快越值錢。🔥記憶體:AI的燃料庫,沒有它,一切停擺。🔥AI機器人+邊緣AI:今年CES最大爆點,實體AI正在落地。🔥2奈米+先進封裝:摩爾定律慢了,但封裝讓效能繼續翻倍。🔴行情永遠不等人,等你看懂,股價已經走完一段。接下來我們會在粉絲團持續幫大家鎖定+追蹤,若還不知道該如何操作?那建議你務必要鎖定江江在Line @,將有更進一步的訊息給大家了解。https://lin.ee/mua8YUP🔴想了解還未起漲的市場主流,同步了解大盤多空轉折點及學習預測技術分析,江江YT節目都會持續追蹤+預告。https://reurl.cc/02drMk********************************************************有持股問題或想要飆股→請加入Line:https://lin.ee/mua8YUP江江的Youtube【點股成金】解盤:https://reurl.cc/02drMk*********************************************************(本公司所推薦分析之個別有價證券 無不當之財務利益關係以往之績效不保證未來獲利 投資人應獨立判斷 審慎評估並自負投資風險)
為爭奪台積電CoWoS客戶,英特爾展示與Intel 18A/14A結合的先進封裝技術
12月24日消息,半導體大廠英特爾(Intel)近日展示了其在先進封裝領域的最新研發成果,推出一系列以Intel 18A 與Intel 14A 等先進節點製程的多芯粒(Multi-chiplet)產品概念。不僅展現了英特爾在Foveros 3D 與EMIB-T 先進封裝技術上的突破,更傳遞出其希望在高性能計算(HPC)、人工智慧(AI)及資料中心市場與台積電的CoWoS 封裝技術一決高下的信心。英特爾本次技術展示的核心在於其精密且具高度擴展性的先進封裝構架。根據資料顯示,英特爾將利用Intel 14A-E 節點製程提供突破性的邏輯性能,該製程同時採用了第二代RibbonFET電晶體與全新的PowerDirect 技術。而在基礎晶片部分,則採用Intel 18A-PT 製程,這是首款採用背面供電技術的基礎晶片,能顯著提升邏輯密度與電力供應的可靠性。此外,為了達到極致的垂直堆疊目標,英特爾還匯入了Foveros Direct 3D 技術,通過極細間距的混合鍵合(Hybrid Bonding)進行精密3D 堆疊。而在多芯粒互連方面,新一代的嵌入式多晶片互連橋接(EMIB-T)技術加入了矽穿孔(TSV)技術,可提供更高的頻寬,並整合更大規模的晶片組。另外,英特爾還在展示視訊中披露了兩款極具前瞻性的概念設計,展現了其超越傳統光罩限制(Reticle Limit)的技術實力。其中在中階解決方案方面,可配備4個計算晶片與12個HBM。至於在旗艦解決方案方面,則是將規模擴大到16個計算晶片與24個HBM ,並可配置多達48個LPDDR5X 控製器,極大化AI 與資料中心工作執行所需的記憶體密度。而且,這些設計採用了類似“Clearwater Forest”的構架,其基礎晶片負責搭載SRAM,並通過Foveros 3D 技術將頂層包含AI 引擎或CPU IP的計算晶片堆疊在上面。記憶體支援方面,英特爾強調其封裝方案能無縫相容目前的HBM3/HBM3E,以及未來的HBM4、HBM5 等新一代標準。根據市場的分析,英特爾這次一系列展示動作,無疑是向台積電發出挑戰。台積電目前已規劃9.5倍光罩尺寸的CoWoS 解決方案,並結合A16 製程,以及超過12個HBM4E (通過CoWoS-L)。然而,英特爾表示,其封裝構架具備超過12倍的光罩尺寸,顯示在規格上有意超越台積電。英特爾還特別強調,雖然Intel 18A 製程主要用於其內部產品,但Intel 14A 節點製程則是專為外部客戶設計的。因此,英特爾目前正積極與產業夥伴建立多元生態系,目的是提供更快的上市時間與更具韌性的供應鏈。儘管英特爾過去在先進封裝領域早有建樹,例如被視為工程奇蹟的Ponte Vecchio 晶片,但受限於良率問題與研發延遲,該產品並未取得商業化上的成功,隨後如Falcon Shores 等多項計畫也遭取消。因此,目前英特爾正試圖憑藉Jaguar Shores,以及備受期待的Crescent Island AI GPU 捲土重來。對英特爾而言,真正的考驗在於能否成功爭取到第三方客戶的訂單。尤其在Intel 14A 技術與先進封裝解決方案的加持下,英特爾似乎已準備好重新回歸晶圓代工市場的頂尖賽局。 (芯智訊)
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台積電,顛覆封裝?
過去幾年,人工智慧徹底帶火了GPU,而作為背後的支撐力量。台積電CoWoS封裝技術也強勢崛起。眾所周知,多年來,GPU絕對龍頭輝達一直是台積電的重要合作夥伴,但在 AI 領域最初的熱潮之後,NVIDIA 更進一步深化了與台積電的合作。如今,雙方的合作關係已經發展到一定程度。輝達首席執行官黃仁勳甚至表示,除了台積電之外,NVIDIA 別無選擇,尤其是在 CoWoS 領域。“這是一種非常先進的封裝技術,很抱歉,我們目前沒有其他選擇。”黃仁勳如是說。這個技術也為台積電帶來了很多收入,有消息指出他們甚至超越日月光,成為全球最大封測玩家。不過他們並沒止步,公司過去兩年也在大幅擴張CoWoS產能。與此同時,一些技術的新變化,也正在悄然產生。CoWoS的演進瓶頸關於台積電的CoWoS,在半導體行業觀察之前的文章《殺瘋了的CoWoS》中,我們有了很深入的描述。但在這裡我們要注意一個點,那就是輝達在最新的Blackwell 系列產品中將使用更多的CoWoS-L 封裝產能,減少 CoWoS-S 封裝產能。據路透社報導,黃仁勳在日月光科技子公司矽品精密工業有限公司(SPIL)舉行的先進封裝工廠正式啟用新聞發佈會上表示:“隨著我們進入Blackwell,我們將主要使用 CoWoS-L 封裝。” “當然,我們仍在生產 Hopper 封裝,Hopper 封裝也將使用 CowoS-S 封裝。我們還將把 CoWoS-S 封裝的產能轉換為 CoWoS-L 封裝。因此,我們並非要減少產能,而是要增加 CoWoS-L 封裝的產能。”之所以做出這個決定,背後一個重要原因是基於 Blackwell 架構的 Nvidia  B100和B200 GPU 需要兩個計算晶片,並且需要以 10 TB/s 的頻寬進行互連。而台積電的 CoWoS-L 技術實現了這一點,該技術使用局部矽互連 (LSI) 橋接器和充當重分佈層 (RDL) 的有機中介層。台積電CoWoS-L但是,我們也必須意識到,隨著晶片尺寸不斷增大的趨勢,例如 AI 晶片尺寸可能達到 80x84 毫米,一塊 12 英吋晶圓只能容納四個這樣的晶片。此外,超大尺寸CoWoS封裝面臨著與基板尺寸和散熱相關的挑戰。例如,5.5倍光罩版本需要100x100毫米的基板,而9倍光罩版本則超過120x120毫米。大尺寸基板將影響系統設計和資料中心配置,尤其是在電源和冷卻系統方面。在功耗方面,高性能處理器每機架功耗可能達到數百千瓦,這使得液冷和浸入式冷卻技術能夠更有效地管理散熱。與此同時,台積電過去一直在CoWoS中使用助焊劑。助焊劑的作用是提高連接晶片和中介層的微型凸塊的附著力,並防止形成降低鍵合質量的氧化膜。然而,CoWoS 正逐漸演變口無助焊劑鍵合機,並在研發階段進行評估”,“我們預計今年年底完成測試”。成一種越來越難以使用助焊劑的環境。凸塊鍵合後必須清除(清潔)助焊劑,但隨著中介層尺寸的增大,很難完全清除積聚在中心的助焊劑。如果助焊劑殘留,可能會影響晶片的可靠性。事實上,台積電也正在聚焦解決這些問題。例如針對助焊劑的問題,據報導,台積電正在積極探討無助焊劑鍵合技術在CoWoS上的應用。報導指出,在去年在提升CoWoS良率方面遇到了困難之後,台積電不得不將重點放在包括無助焊劑鍵合在內的替代技術上。半導體業內人士此前透露,“台積電目前正在少量進來到中介層尺寸尺寸方面,截至 2023 年,台積電 CoWoS 封裝中的中介層尺寸為 80x80mm。它大約比光罩大 3.3 倍。按照台積電計畫,到2026年,將推出具有 5.5 倍掩模尺寸的 CoWoS-L 。具有創紀錄的 9.5 倍掩模尺寸、整合 12+ HBM 堆疊的 CoWoS 也有望於 2027 年推出。在台積電的路線圖中,還有一個叫做SoW-X (System-on-Wafer)的技術,與 CoWoS 相比,其性能提高了 40 倍,模擬了完整的伺服器機架功能,計畫於 2027 年實現量產。但是,這並沒有舒緩大家的擔憂,這也正是FOPLP(Fan-out panel-level packaging)最近半年纍纍被提及的原因之一。在此前文章《FOPLP來襲,CoWoS壓力大增》中,我們也對此進行了介紹。相關報導也指出,台積電在這個技術上也有佈局。然而近日,另一則消息透露,台積電將押注CoPoS技術,並計畫于于 2029 年實現量產。而輝達,則有望成為他們的第一個客戶。顛覆傳統中介層CoPoS是Chip-on-Panel-on-Substrate的縮寫,作為對比,CoWoS是Chip-on-Wafer-on-Substrate。從這個命名全程可以看到,就是中間的這個wafer換成了panel。從技術上看,CoPoS 本質上是將中介層“面板化”,建立所謂的面板 RDL(重分佈層),或者將晶片放置在“面板級 RDL 層”上。這讓即使是 510x515 毫米的面板,也能容納數倍於 300 毫米晶圓的晶片數量。來到台積電方面,CoPoS本質上就是CoWoS-L和CoWoS-R的方形面板演進,將傳統的圓形晶圓取代為矩形基板。據報導,矩形設計尺寸為310x310毫米,比傳統的圓形晶圓提供了更大的可用基板空間,從而提高了產出效率並降低了成本。據台媒透露,台積電位於嘉義的 AP7 工廠正逐漸成為下一代先進封裝的關鍵樞紐。該工廠計畫分八個階段建設,並將在第四階段開始大規模生產 CoPoS。台媒進一步報導,AP7 的第一階段(P1)將作為蘋果的專用 WMCM(多晶片模組)基地,而第二階段和第三階段則專注於提升 SoIC 的產量。值得注意的是,該報導稱,AP7 並未計畫生產 CoWoS,而是將保留在 AP8,該工廠由群創光電的舊工廠改建而成。聰明的你一定發現,無論是FOPLP還是COPOS,都是與面板有關,那這兩者又有啥區別呢?首先,如上所述,FOPLP(扇出型面板級封裝)和 CoPoS(基板上面板晶片封裝)均採用大型面板基板進行封裝。但是,他們在架構和應用方面存在顯著差異,尤其是在中介層(interposer)的使用方面。FOPLP 是一種無需中介層的封裝方法,晶片直接重新分佈在面板基板上,並通過重分佈層 (RDL) 進行互連。這種方法具有成本低、I/O 密度高、外形尺寸靈活等優勢,適用於邊緣 AI、移動裝置和整合密度適中的中端 ASIC 等應用。相比之下,CoPoS 採用了中介層,從而實現了更高的訊號完整性和穩定的功率傳輸——這在整合多個高性能、高功率晶片(例如 GPU 和 HBM)時尤為重要。中介層的存在使 CoPoS 更適合需要大面積封裝和高速資料傳輸的高端 AI 和 HPC 系統。此外,據瞭解。CoPoS 中的中介層材料正在從傳統的矽演變為玻璃,從而提供更高的成本效益和熱穩定性。資料顯示,與傳統有機基板相比,玻璃芯基板具有更高的互連密度、更靈活的訊號布線、更少的 RDL 層數、更高的頻寬密度以及更低的單次資料傳輸功耗。尤其值得一提的是,採用 TGV(玻璃通孔)技術,損耗極小,且材料的平整度、CTE(熱膨脹係數)、剛性、吸濕性和導熱性等性能都相對理想。此外,它還具有優異的機械和電氣特性,以及光傳輸應用的潛力。這也是台積電將 CoPoS 定位為未來 CoWoS-L 的潛在替代品的原因之一。據瞭解,未來CoPoS封裝市場鎖定AI等高級應用,其中採用CoWoS-R製程的將鎖定博通,CoWoS-L則是目標服務輝達及超微。業界分析,CoPoS捨棄傳統的圓形晶圓,化圓為方,直接將晶片排列於大型方形面板基板上,大幅提升產能與面積利用率,CoPoS封裝結構更具彈性,適合多樣化晶片尺寸與應用需求,在AI、5G與高效能運算領域展現強大競爭力。寫在最後雖然好處不少,但我們要明白,如果一個看起來很好的技術如果還沒有被普及,那就肯定是因為它還有一些還沒有被客戶的短板。例如這個從圓形封裝工藝到方形封裝工藝的轉變,就需要投入大量的材料和裝置研發。而為了實現高精細的導體圖案,還需克服翹曲、均勻度等問題,因為這對良率將是一個挑戰。另外,客戶對RDL 線寬/間距的要求從10µm 縮小到 5µm,甚至 2µm、1µm,這就需要供應商在RDL 佈局方面實現新的突破。總而言之,未來可期,仍需努力。 (半導體行業觀察)
輝達千億訂單鎖死台積電封裝命脈!
2月24日,輝達被曝已鎖定台積電全年超過70%的CoWoS-L先進封裝產能。根據供應鏈資料,輝達Blackwell架構GPU晶片預計每季度出貨量環比增長超20%,全年總出貨量有望突破200萬顆,其訂單規模足以支撐台積電先進封裝業務營收佔比從2024年的8%躍升至10%以上。 這一訂單的底層邏輯在於AI基礎設施的剛性需求。隨著美國“星際之門”計畫加速推進,四大雲服務商(亞馬遜AWS、微軟Azure、Google雲、阿里雲)對AI伺服器的採購需求持續高位運行,迫使輝達必須通過鎖定關鍵產能來確保供應鏈安全。 CoWoS-L技術作為台積電最新封裝方案,通過結合重布線層(RDL)和硅中介層(LSI),可將晶片尺寸擴大30%以上,並堆疊更多高頻寬記憶體(HBM),使Blackwell晶片的算力密度較前代提升50%。這種技術代際差直接轉化為市場壁壘——當AMD的MI300系列仍在使用上一代SoIC+CoWoS混合封裝時,輝達已通過獨家繫結最先進工藝形成護城河。 台積電的產能擴張策略亦成為產業鏈博弈的焦點。為滿足輝達等客戶的增量需求,台積電在2024年將CoWoS產能擴充三倍後,2025年計畫再投入超2000億元新台幣新建八座封裝廠,其中南科園區六座新廠全部聚焦CoWoS-L產線。這種激進擴張的背後,是先進封裝毛利率超越公司平均水平的財務誘惑,以及AI晶片訂單周期從五年延長至八年的確定性預期。但產能瓶頸仍未完全破解:台積電已將部分WoS(Wafer on Substrate)封裝環節外包給日月光和京元電子,後者測試產能利用率已達100%,這種“核心工藝自主+邊緣環節外包”的模式雖能短期緩解壓力,卻也埋下供應鏈響應速度下降的隱患。